例外SiC的产能也非常有限，国外也是刚开始大规模进行6英寸SiC晶圆的投产，未来的主要应用还是IGBT功率器件。 IGBT功率器件主要测试参数

SiC 独特的性质与其结构密切相关，为此首先需要了解 SiC 的结构。 SiC 有超过 200 多种多型结构，最普通的是立方 3C，六角 4H 和 6H，菱方 15R。 这些多型结构以 Si-C 双原子为结构的基本单元，采 …

最后SiC还有一个重要的优势，就是非常适合高压的应用。 我们看到一些主流车厂已经把车的电池电压提高到了800V，以后的高压直流充电桩里面也是用的高压，在这些高压的应用里，以后SiC，特别是高 …

SiC晶圆的晶型 硅化碳（Silicon Carbide，SiC）晶圆通常是单晶的，但是这些单晶SiC晶圆可能由不同的多晶形体构成，SiC的多晶形体包括3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC等，每种多晶形都有自己独特的性质。

SiC SBD上采用金属块直接压力接触方法的初步尝试。 使用专门设计的1.6kV SiC-SIJFET。 这种方法在SiC MOSFET上是否可行需要进一步研究另一个问题是，为了充分利用SiC MOSFET的快速开关特 …

Aug 17, 2023 · SCI检索号是在论文数据库中检索论文的具有唯一性的标识之一。也就是说，一篇SCI在所收录的数据库中只有一个检索号，且检索号不会重复，是SCI在所收录数据库中的身份证号码。检索 …

SiC单晶差不多有200种同分异构体，其中最常见的有3C, 4H, 6H结构，每种结构都有自己适合的应用领域，不存在哪种更受关注。 题主想说的是在大功率器件领域4H SiC比较受关注吧。 这是因为，实际生 …

Mar 28, 2025 · 半导体的直接带隙和间接带隙是根据其能带结构中导带（导带底）和价带（价带顶）在动量空间（k空间）中的位置关系划分的两种类型。 换句话说，是描述电子在导带和价带之间跃迁方式 …

Feb 8, 2025 · 一、碳化硅（Sic）外延的基本介绍 1、基本概念 在半导体制造领域，“外延” 指的是在单晶衬底上生长一层与衬底具有相同晶体结构的单晶薄膜的过程。 碳化硅外延就是以碳化硅（SiC）单晶 …

Aug 27, 2024 · 关于SiC，这可能是今年最惊艳的报告 在《Power SiC Manufacturing 2024》报告中，Yole Intelligence深入分析了功率硅碳化物 (SiC)制造业的现状与未来趋势。 报告全面覆盖了从SiC …